2英寸碳化硅切割片-900um厚

作为As-cut碳化硅切割片生产商，恒迈瑞公司生产加工2英寸Raw-cut碳化硅切割晶片。SiC切割片即碳化硅晶锭多线切割后，未研磨未抛光加工的晶片。在当今6英寸8英寸碳化硅晶片时代，恒迈瑞公司依旧为部分客户保留2英寸碳化硅衬底及碳化硅切割片产能。Raw-cut碳化硅切割片2英寸厚度选择性多，如500um 600um 900um 1100um 1200um等等，恒迈瑞为客户定制生产。未研磨未抛光的碳化硅晶片适用于金刚石砂轮，磨料，减薄，抛光等应用，欢迎有测试需求厂商联系我司获取报价。

2英寸碳化硅切割片基础参数：
晶型: 4H
晶向: 4° toward <11-20> ± 0.5º
直径: 50.8±0.38mm
厚度: 500um 600um 900um 1100um 1200um
电阻率:  0.15~0.028ohm·cm
表面处理: 未研磨未抛光

未研磨未抛光SiC切割片                                     
 

SiC衬底打磨加工包括研磨（减薄）、抛光两个环节。SiC衬底的平坦化工艺主要有研磨和减薄两种工艺路线。研磨分为粗磨和精磨环节。主流的粗磨工艺方案为铸铁盘配合单晶金刚石研磨液。多晶金刚石微粉和类多晶金刚石微粉被开发后，碳化硅精磨工艺方案是聚氨酯垫配合类多晶精磨液。新的工艺方案为蜂窝研磨垫配合团聚磨料。

减薄分为粗磨减薄和精磨减薄两个环节，采用减薄机加磨轮的方案，自动化程度高，有望代替研磨的技术路线。减薄工艺方案的工艺精简，高精度磨轮的减薄可以为抛光环节省去单面机械抛光（DMP）；采用磨轮加工速度快，加工面型控制能力强，适合大尺寸晶圆加工。同时，相比于研磨的双面加工，减薄为单面加工工艺，是外延制造和晶圆封装时，对晶圆的背面进行研磨的关键工艺。减薄工艺推广的难点在于磨轮的研发难度大、制造技术要求高。磨轮国产化程度非常低，作为耗材成本较高，目前磨轮市场主要被DISCO占据。