Product Description
恒迈瑞公司为国内外客户供应SiC碳化硅切割晶片,可分为导电N型和半绝缘SI型。导电型碳化硅切割片厚度440um左右,半绝缘型未研磨抛光碳化硅切割片厚度600um左右,广泛应用于碳化硅材料后道研磨和抛光设备加工测试用。4英寸及6英寸我司均可稳定发货,欢迎有需求的客户来电询价。
按照电学性能不同,碳化硅单晶材料可分为导电型和半绝缘型两种,通常导电型对应同质外延、半绝缘型对应异质外延,其中同质外延指导电型碳化硅衬底搭配碳化硅外延,进一步制成 SBD、MOSFET 等功率器件,主要应用于电子电力领域,例如新能源汽车中的逆变器、转换器、电机驱动器和车载充电机等。异质外延指半绝缘型碳化硅衬底搭配氮化镓外延,可进一步制成 HEMT 等微波射频器件,该外延晶片适用于高频、高温工作环境,主要应用于射频领域。
碳化硅切割晶片参考参数(以最新产线加工为准)
碳化硅切割晶片产品实拍
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