4＆6英寸碳化硅晶棒晶锭

苏州恒迈瑞材料科技生产供应高质量的第三代半导体碳化硅晶棒及碳化硅衬底晶片。我们的碳化硅晶锭可分为测试级可用于碳化硅衬底片的多线切割测试，而产品级碳化硅晶棒可用于后期加工为碳化硅衬底片。我们的价格配套政策保证您在同等规格的碳化硅晶锭及碳化硅晶片产品上获得最优惠的价格。联系我们获取报价及详细规格。

恒迈瑞碳化硅晶棒规格


SiC碳化硅材料具有优良的热学、力学、化学和电学性质，不但是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一，而且可以用作基于氮化镓GaN的蓝色发光二极管的衬底材料，打破了蓝宝石一统天下的局面，尤其在路灯和室外照明领域具有巨大的市场潜力。在半导体领域最常用的碳化硅晶型是4H-SiC。


碳化硅材料与其他材料比较

以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件以其良好导热性和大功率输出的优势，成为5G基站功率放大器的主流选择。5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。

 碳化硅晶锭包装