碳化硅同质外延片SiC-on-SiC

HMT公司供应高品质4英寸SiC-on-SiC碳化硅外延片，6英寸碳化硅同质外延片。碳化硅同质外延片可用于制作各种功率器件，如肖特基二极管、绝缘双极型晶体管、半导体闸流管、金属氧化物场效应晶体管、结型场效应管、双极性晶体管等。碳化硅外延晶片是指在碳化硅衬底的基础上，经过外延工艺生长出晶格一致、高纯度、低缺陷的特定单晶薄膜。

在导电型碳化硅材料中，根据掺杂元素的不同，可以区分 N 型、P 型。N 型碳化硅外延晶片是在生长外延层的过程中使用氮（N）元素进行掺杂形成。氮与硅结合后多出一个自由电子，为其导电性的主要来源。P 型碳化硅外延晶片是在生长外延层的过程中使用铝（Al）元素进行掺杂形成。铝和碳结合后，会缺失一个电子，形成空穴，而空穴吸引束缚电子移动使得 P 型碳化硅外延晶片具有导电性。
 

与以硅、锗为代表的第一代半导体和以砷化镓为代表的第二代半导体相比，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体，具有高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率的物理特性，可以满足科技发展对高温、高功率、高压、高频的器件要求。在碳中和趋势下，碳化硅凭借优良的物理特性有望在国内新能源汽车、光伏、风电、工控等领域中持续渗透，对第一代半导体和第二代半导体实现一定程度的替代。